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更新時(shí)間：2025.05.11
基于Pro/E 3D模型的圓柱凸輪廓面三坐標(biāo)測(cè)量

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計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)/制造技術(shù)的發(fā)展,促進(jìn)了零件曲面測(cè)量技術(shù)的發(fā)展,曲面測(cè)量的完成通常依靠三坐標(biāo)測(cè)量機(jī).本文結(jié)合對(duì)非等價(jià)銑削圓柱凸輪廓面誤差分析的研究,從Pro/E 3D建模、三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)試件坐標(biāo)系的建立、測(cè)頭補(bǔ)償?shù)汝P(guān)鍵問(wèn)題,基于Pro/E幾何模型對(duì)圓柱凸輪廓面進(jìn)行實(shí)際測(cè)量.

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半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)展望 智能 1601 41623405 呂懿 前言： 半導(dǎo)體材料（ semiconductor material ）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo) 體與絕緣體之間，電阻率約在 1mΩ· cm～1GΩ· cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和 集成電路的電子材料。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、 集成電路、 電力電子器件、光電子器 件的重要基礎(chǔ)材料， 支撐著通信、計(jì)算機(jī)、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 半導(dǎo)體材料及應(yīng)用已成為衡量一個(gè)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展、科技進(jìn)步和國(guó)防實(shí)力的重要標(biāo)志。 一、 第 3 代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用 半導(dǎo)體材料的發(fā)展可以劃分為三個(gè)時(shí)代。 第 1 代半導(dǎo)體材料以硅 (Si)和鍺 (Ge) 等元素半導(dǎo)體材料為代表，奠定了微電子產(chǎn)業(yè) 基礎(chǔ)。其典型應(yīng)用是集成電路 (Integrated Circuit,IC) ，主要應(yīng)用于低壓、低頻、低功率 晶體管和探測(cè)器，

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