功率MOSFET無鉛化封裝中鋁線引腳跟斷裂研究

2017年8月16日,中國聯(lián)塑集團(tuán)在成立31周年之際,正式宣布實(shí)現(xiàn)pvc管材、管件及型材產(chǎn)品的全面無鉛化。2017年7月19日,國家住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部科技發(fā)展促進(jìn)中心在北京主持召開了由中國聯(lián)塑集團(tuán)研發(fā)的"無鉛聚氯乙烯(pvc)管材管件及型材"科技成果評(píng)估會(huì),評(píng)估委員會(huì)一致認(rèn)為該項(xiàng)目對(duì)于國內(nèi)pvc管材、管件的全面無鉛化具有引領(lǐng)作用,有良好的推廣應(yīng)用價(jià)值,達(dá)到國際先進(jìn)水平。實(shí)現(xiàn)pvc制品的全面無鉛化并非一蹴而就。在早已

supermesh3功率mosfet主要用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。620v的stx6n62k3是supermesh3系列的首款產(chǎn)品，后續(xù)產(chǎn)品有620v的stx3n62k3和525v的stx7n52k3和stx6n52k3。supermesh3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻，在620v電壓下，dpak封裝的std6n62k3把導(dǎo)通電阻降低到1．28ω；在525v電壓下，std7n52k3把導(dǎo)通電阻降低到0．98ω，從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。

為了進(jìn)一步降低溝槽柵功率mos器件的導(dǎo)通電阻,提出了一種改進(jìn)的trenchmosfet結(jié)構(gòu).借助成熟的器件仿真方法,詳細(xì)分析了外延層雜質(zhì)摻雜對(duì)器件導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的影響,通過對(duì)常規(guī)trenchmosfet和這種改進(jìn)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真和比較,得出了擊穿電壓和導(dǎo)通電阻折中效果較好的一組器件參數(shù).模擬結(jié)果表明,在擊穿電壓基本相當(dāng)?shù)那闆r下,新結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電阻較之于常規(guī)結(jié)構(gòu)降低了18.8%.

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(onsemiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):onnn)推出帶開關(guān)控制器的電流鏡cat2300,將這器件與安森美半導(dǎo)體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結(jié)合使用,能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級(jí)電源管理,用于便攜計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等應(yīng)用。

8月16日，欣逢中國聯(lián)塑集團(tuán)成立三十一周年，集團(tuán)正式公布實(shí)現(xiàn)pvc管材、管件及型材產(chǎn)品的全面無鉛化。7月19日，國家住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部科技發(fā)展促進(jìn)中心在北京主持召開了由聯(lián)塑集團(tuán)研發(fā)的“無鉛聚氯乙烯（pvc）管材管件及型材”科技成果評(píng)估會(huì)，評(píng)估委員會(huì)一致認(rèn)為該項(xiàng)目大規(guī)模、全系列實(shí)現(xiàn)了各類pvc管材、

飛兆半導(dǎo)體公司擴(kuò)展powertrenchmosfet系列，這些產(chǎn)品屬于中等電壓mosfet產(chǎn)品系列成員，是結(jié)合低柵極電荷、低反向恢復(fù)電荷和軟反向恢復(fù)體二極管的優(yōu)化功率開關(guān)產(chǎn)品，可以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。這些器件備有40v、60v和80v額定電壓型款，

2017年8月16日,欣逢中國聯(lián)塑集團(tuán)成立31周年,集團(tuán)正式公布實(shí)現(xiàn)pvc管材、管件及型材產(chǎn)品的全面無鉛化。2017年7月19日,國家住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部科技發(fā)展促進(jìn)中心在北京主持召開了由聯(lián)塑集團(tuán)研發(fā)的"無鉛聚氯乙烯(pvc)管材管件及型材"科技成果評(píng)估會(huì),評(píng)估委員會(huì)一致認(rèn)為該項(xiàng)目大規(guī)模、全系列實(shí)現(xiàn)了各類pvc管材、管件及型材產(chǎn)品的無鉛化,對(duì)于國內(nèi)pvc管材、管件的全面無鉛化具

由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價(jià)格又便宜,正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對(duì)銅絲鍵合工藝的新型失效分析(fa)技術(shù)。在本文中,我們將討論一些專門為使用銅絲技術(shù)的元器件而開發(fā)的新型失效分析技術(shù)和工序。我們會(huì)將解釋為什么銅絲的處理方式和金絲不一樣,并且以功率mosfet器件為例,循序漸進(jìn)地了解失效分析的過程,保存對(duì)失效器件進(jìn)行有效分析所需要的所有證據(jù)。

利用工藝和器件模擬軟件tsuprem-4和medici,研究了工藝參數(shù)對(duì)dc-dc轉(zhuǎn)換器中的功率溝槽mosfet的通態(tài)電阻ron、柵-漏電容cgd的影響以及柵-漏電荷qgd在開關(guān)過程中的變化,指出了在設(shè)計(jì)和工藝上減小通態(tài)電阻ron和柵-漏電容cgd,提高器件綜合性能的途徑。

通過對(duì)硅膜中最低電位點(diǎn)電位的修正,得到復(fù)合型柵氧化層薄膜雙柵mosfet亞閾值電流模型以及閾值電壓模型。利用medici軟件,針對(duì)薄膜雙柵mosfet,對(duì)四種復(fù)合型柵氧化層結(jié)構(gòu)didgmosfet(dualinsulatordoublegatemosfet)進(jìn)行了仿真。通過仿真可知:在復(fù)合型結(jié)構(gòu)中,隨著介電常數(shù)差值的增大,薄膜雙柵器件的短溝道效應(yīng)和熱載流子效應(yīng)得到更有效的抑制,同時(shí)擊穿特性也得到改善。此外在亞閾值區(qū)中,亞閾值斜率也可以通過柵氧化層設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件的亞閾值斜率更小,性能更優(yōu)越。

從成本和低溫化考慮,磷酸鹽低熔封接玻璃最有可能取代商業(yè)鉛基低熔玻璃?？偨Y(jié)了近20年來研究較多的sno-mo(m=zn,mg,ca)-p2o5、zno-sb2o3-p2o5、na2o-cuo-p2o5、na2o-fe2o3-p2o5、硼磷酸鹽和磷酸鹽氧氮低熔玻璃系統(tǒng)的玻璃形成范圍、制備方法、結(jié)構(gòu)特征、性能參數(shù)和應(yīng)用范圍,總結(jié)的玻璃性能主要包括化學(xué)穩(wěn)定性、轉(zhuǎn)變溫度、軟化溫度和熱膨脹系數(shù);指出硼磷酸鹽、na2o-cuo-p2o5、zno-sno(sb2o3)-p2o5、鐵磷酸鹽系統(tǒng)玻璃的化學(xué)穩(wěn)定性基本達(dá)到或優(yōu)于商業(yè)鉛基低熔封接玻璃,磷酸和硼磷酸鹽系統(tǒng)適用于中低溫封接,而sno-zno-p2o5和na2o-cuo-p2o5應(yīng)用于低溫封接仍需解決轉(zhuǎn)變溫度大幅浮動(dòng)、成本高及熱膨脹系數(shù)等問題。

本文通過講述uis的測(cè)試原理,得出雪崩計(jì)算公式,著重對(duì)目前兩種不同模式的測(cè)試方法,從測(cè)試原理上進(jìn)行比對(duì),總結(jié)兩種模式下的特點(diǎn)。

隨著國家對(duì)環(huán)境保護(hù)的重視程度越來越高,對(duì)汽車零件中的六價(jià)鉻、鉛等重金屬的使用控制也越來越嚴(yán)格。在新國家汽車禁用物質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)討論稿中,對(duì)汽車發(fā)動(dòng)機(jī)、變速器中的滑動(dòng)軸承、襯套材料中的鉛亦嚴(yán)禁使用。目前,國內(nèi)汽車用滑動(dòng)軸承領(lǐng)域還在廣泛應(yīng)用含鉛的鋁基軸承材料及銅鉛材料。為應(yīng)對(duì)國家即將頒布的汽車禁用物質(zhì)的相關(guān)法規(guī),國內(nèi)軸承行業(yè)也在積極研制相關(guān)的無鉛軸承材料。本文介紹了federal-mogul公司的無鉛鋁基軸承合金材料的研發(fā)過程及材料的性能,供國內(nèi)從事軸承材料研發(fā)者借鑒參考。

淺談無鉛化生產(chǎn)的撓性感光阻焊劑——淺談無鉛化生產(chǎn)的撓性感光阻焊劑

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（onsemiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：onnn）推出帶開關(guān)控制器的電流鏡cat2300，將這器件與安森美半導(dǎo)體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結(jié)合使用，

本文介紹一種pcb基板材料,可以使材料保持強(qiáng)分子鍵力的環(huán)氧樹脂,形成的結(jié)構(gòu)中含有較少的極性基團(tuán)如羥基或其他活性官能團(tuán),具有耐caf性能,耐熱性和較小的介電常數(shù)、介質(zhì)損耗因數(shù),適用于指定的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中。另外,通過優(yōu)化混合的無機(jī)填料的種類、形狀、大小和加入量,可以減小熱膨脹系數(shù)。通過改善填料的分散性,可以使材料保持良好的流動(dòng)性及降低鉆孔時(shí)的工具損耗。因?yàn)椴牧暇哂休^低的厚度方向的熱膨脹系數(shù)(z-cte)33×10~(-6)/℃,這種材料用于多層和厚板時(shí)具有優(yōu)異的通孔連接的可靠性,380℃的高td(熱分解溫度)允許材料適應(yīng)無鉛焊錫的高溫,以上的性質(zhì)使這種材料適用于高多層,更高傳送速度和更高密度的pcb。

安森美半導(dǎo)體推出帶開關(guān)控制器的電流鏡cat2300,將這器件與安森美半導(dǎo)體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結(jié)合使用,能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級(jí)電源管理,用于便攜計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等應(yīng)用。精確控制及匹配sensefet的sense輸出與cat2300的kelvin電壓引腳,確保sensefet完整工作范圍內(nèi)的精確電流監(jiān)

深入研究在傳統(tǒng)的硬質(zhì)聚氯乙烯(pvc-u)管材配方體系中引入橡塑彈性體物質(zhì),并利用物理、化學(xué)改性相結(jié)合的方法對(duì)pvc樹脂進(jìn)行改性,先將聚乙烯、丙烯酸酯類高聚物接枝聚氯乙烯,并將其長鏈高分子進(jìn)行高速纏繞,使其改變分子結(jié)構(gòu),形成高抗沖型的層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),且結(jié)構(gòu)中的分子間作用力大大增強(qiáng);輔以微納米無機(jī)粉體增強(qiáng)增韌技術(shù),使得無機(jī)剛性粒子充分均勻分散至網(wǎng)層狀結(jié)構(gòu)中,從而在保證了聚氯乙烯剛性的同時(shí),也提高了其韌性;使得pvc管材實(shí)現(xiàn)剛?cè)岵?jì)的效果。

為適應(yīng)汽油無鉛化及汽車排氣凈化裝置的要求，開發(fā)出了高鉻鑄鐵排氣閥座。此種閥座的耐磨性顯著提高，具有廣泛的適用性。

在材料技術(shù)工藝不斷發(fā)展的情況下使得很多新材料、新工藝被用于實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)中，擴(kuò)大了新材料的應(yīng)用面。將兩種或兩種以上類型的金屬通過相關(guān)工藝進(jìn)行連接可以獲取金屬連接結(jié)構(gòu)，然而這種金屬連接結(jié)構(gòu)無論是在功能上還是實(shí)用性上較母材金屬更具優(yōu)勢(shì)。從當(dāng)前金屬連接應(yīng)用情況來看無論是在傳統(tǒng)工業(yè)還是在航空業(yè)、電子制造業(yè)以及汽車行業(yè)等都已經(jīng)有了廣泛應(yīng)用，未來它還將具備更大的發(fā)展空間。本文對(duì)鋁銅釬焊用sn-zn基無鉛釬料進(jìn)行了綜合性分析并提出了相關(guān)觀點(diǎn)，供以參考。

隨著微電子行業(yè)的發(fā)展,微處理器正在代代更新,其性能更是迅速提高(如工作頻率越來越高等),這就要求其電流不斷增大。同時(shí),為了降低功耗,電源電壓必須不斷降低。下一代處理器的供電電壓將會(huì)降到1.1v～1.8v,電流處理能力將達(dá)到

rohm最新發(fā)表了他們首次采用溝槽式結(jié)構(gòu)研制并大批量生產(chǎn)了碳化硅mosfet。與傳統(tǒng)平面式碳化硅mosfet相比,同樣芯片尺寸條件下,導(dǎo)通電阻降低了50%,極有可能也能大幅降低許多設(shè)備的功率損耗,如工業(yè)用轉(zhuǎn)換器和電源,電源和太陽能電力系統(tǒng)的電力調(diào)制器,太陽能功率系統(tǒng)調(diào)制器。近些年,世界范圍內(nèi)越來越多的研究開始關(guān)注電力供應(yīng)的解決方案,其中主要研究電源供應(yīng)的轉(zhuǎn)換和已產(chǎn)生電力的高效輸運(yùn)。碳化硅功率器件因?yàn)槟?/p>