一種新的CMOS混頻器電路優(yōu)化設計方法
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4.7
本文提出了一種以遺傳算法作為全局搜索算法、以性能方程作為評估器的CMOS混頻器電路自動優(yōu)化方法,優(yōu)化過程中采用了一種新的約束條件處理機制,即:搜索空間限定法與罰函數(shù)法并用的處理方法。本文提出的優(yōu)化方法可以快速得到電路優(yōu)化結(jié)果,優(yōu)化后的混頻器電路已經(jīng)過0.25μm CMOS工藝流片驗證。
一種新的CMOS模擬單元電路優(yōu)化設計方法
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在cmos單元電路的參數(shù)自動生成和優(yōu)化中提出了一個新的設計方法,其核心算法是基于小生境的遺傳算法.仿真結(jié)果表明:優(yōu)化后的電路性能與基于仿真方法相差不大,但是其具有較短運行時間的優(yōu)勢.
一種新穎的Buck電路設計方法
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buck電路結(jié)構(gòu)簡單,易于實現(xiàn),應用非常廣泛。文章針對連續(xù)工作電流的buck電路,建立了一種便于理論分析的等效電路,基于此電路的頻率特性函數(shù)和輸入信號的傅里葉變換,得到了電路的穩(wěn)態(tài)響應。對紋波的理論研究及仿真分析表明電路輸出的紋波比完全可由基波紋波比代替計算,從而提出了一種設計濾波元件l、c參數(shù)的不同思路。通過實例設計及仿真驗證也說明此方法對buck電路參數(shù)設計是簡單有效的,l、c參數(shù)的選定也比較靈活。
音頻功率放大器的CMOS電路設計
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4.3
完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設計。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個運算放大器,使用盡可能小的外部組件提供高質(zhì)量的輸出功率,不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網(wǎng)絡。應用cadence的spectre模擬仿真工具進行電路仿真,得到其電路指標如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場應用前景。
應用于DVB-T/H調(diào)諧器的0.13μm CMOS混頻器設計
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4.7
采用0.13μmrcmos工藝設計并實現(xiàn)了一種應用于dvb—t/h數(shù)字電視廣播系統(tǒng)調(diào)諧器的寬帶下變頻混頻器,其工作頻率為170mhz-1.675ghz?;祛l器使用吉爾伯特雙平衡結(jié)構(gòu)作為電路的核心單元,采用rc并聯(lián)諧振電路作為負載以濾除輸出高階諧波,使用正交混頻技術(shù)以有效抑制鏡像干擾;通過采用電流注入技術(shù),以減小流經(jīng)開關管的電流,改善噪聲系數(shù),減小了負載上的直流壓降,改善1.2v下混頻器的直流工作狀態(tài);通過去除尾電流源以提高混頻器的線性度。芯片測試結(jié)果表明,在1.2v的電源電壓下,混頻器轉(zhuǎn)換增益為14.4db,輸入三階截點為-3.05dbm,噪聲系數(shù)為14.2db,功耗為6mw.
4·2GHz CMOS射頻前端電路設計
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4.5
設計并實現(xiàn)了一個工作在4.2ghz的全集成cmos射頻前端電路,包括可實現(xiàn)單端輸入到差分輸出變換的低噪聲放大器和電流注入型gilbert有源雙平衡混頻器。電路采用smic0.18μmrf工藝。測試結(jié)果表明,在1.8v電源電壓下,電路的功率增益可達到26db,1db壓縮點為-27dbm,電路總功耗(含buffer)為21ma。
CMOS集成電路中電源和地之間的ESD保護電路設計
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4.5
討論了3種常用的cmos集成電路電源和地之間的esd保護電路,分別介紹了它們的電路結(jié)構(gòu)以及設計考慮,并用hspice對其中利用晶體管延時的電源和地的保護電路在esd脈沖和正常工作兩種情況下的工作進行了模擬驗證。結(jié)論證明:在esd脈沖下,該保護電路的導通時間為380ns;在正常工作時,該保護電路不會導通,因此這種利用晶體管延時的保護電路完全可以作為cmos集成電路電源和地之間的esd保護電路。
基于CMOS集成溫度傳感器的電路設計與仿真
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4.6
為提高溫度傳感器的測量精度,同時縮小其面積和功耗,文中設計了一種使用npn晶體管進行溫度測量的完全集成互補型金屬氧化物半導體傳感器。該傳感器主要由偏置電路,運算放大器和熱傳感器電路組成。偏置電路為傳感器提供偏置條件,其由啟動電路和β乘法器電路組成。文中采用ltspiceandmatlab進行電路設計,并在50nm工藝下對傳感器電路進行仿真,得到所設計的溫度傳感器在-30~125℃范圍內(nèi),溫度系數(shù)為5.9mv/℃。
采用CMOS與非門電路設計的閃光信號報警器
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4.4
文章介紹了采用cmos電路的報警器,在保證其功能的基礎上,克服了原報警器的不足,并使電路結(jié)構(gòu)簡化、設計合理,提高了可靠性和穩(wěn)定性,降低了成本。
第12章微波混頻器設計
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4.4
第12章微波混頻器設計
一種長波紅外光導探測器CMOS電路設計
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4.6
cmos電路是高輸入阻抗,而長波紅外光導探測器是低阻抗,實現(xiàn)低阻抗紅外光導探測器與cmos電路的良好匹配,是目前長波紅外探測器高性能成像的關鍵技術(shù)。文中設計了一種能在低溫下工作的低阻抗紅外光導探測器cmos電路,差分放大器采用正負電源供電,在輸入級采用橋式輸入方式,該電路第一級采用1mω的負反饋電阻實現(xiàn)信號放大,第二級放大采用正端放大方式,輸入級、第一級放大、第二級放大均采用直接耦合方式。測試結(jié)果表明,該放大器與長波紅外低輸入阻抗光導探測器連接后能正常工作,總放大倍數(shù)大于1萬倍,3db帶寬大于4khz,等效輸入電壓噪聲小于1.5μv,有效地解決了低阻抗光導探測器與高阻cmos電路的匹配問題。
試論建筑更新的設計方法
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4.3
隨著社會的發(fā)展與人類生存環(huán)境的不斷變遷,逐漸的與建筑的更新發(fā)展結(jié)合成一個同一體.對建筑物進行分析,使其能夠重新投入到人們的利用上來,更新建筑的設計內(nèi)容,對建筑的再利用的價值進行一個準確的評估,分析建筑物存在的潛在價值與意義,結(jié)合社會文化建筑資源的交易機制,從而使建筑的設計多樣化,以滿足社會生活中的不同需求,從而使建筑的價值得到提升,使建筑在更新設計中得到合理的利用以及有效的保護.
試論建筑更新的設計方法
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4.5
建筑的發(fā)展與社會的進步和變遷構(gòu)成同一體,分析建筑工程的再利用,逐步提高建筑構(gòu)成更新設計的相關內(nèi)容,對建筑更新利用的價值進行準確的分析,研究社會交易文化資源的重要機制,分析力建筑遺產(chǎn)可能存在的潛在意義,更好的完善建筑多樣化的設計,迎合社會的基本服務需求,提僧建筑工程的利用價值,確保建筑工程更新作用的有效設計和保護。
最新5-6CMOS電路匯總
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4.7
最新5-6CMOS電路匯總
介紹一款LED日光燈電路設計方法
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4.7
介紹了使用集成電路pt4107設計一款高功率因數(shù)led日光燈的基本方法,并給出實際應用參數(shù)。
低電壓高增益下變頻混頻器設計
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4.5
本文設計一個低電壓高增益下變頻混頻器。為了降低電源電壓,本文采用了lc-tank折疊結(jié)構(gòu),同時為了提高混頻器線性度,采用了開關對共源節(jié)點諧振技術(shù)。在低電源電壓和高線性得到保證的情況下,本文用ads2009軟件重點對混頻器的轉(zhuǎn)換增益進行優(yōu)化、仿真,結(jié)果表明:工作電壓1.4v,rf頻率2.5ghz,本振頻率2.25ghz,中頻頻率250mhz,轉(zhuǎn)換增益7.325db,三階交調(diào)點6.203dbm,單邊帶噪聲系數(shù)3.823db,雙邊帶噪聲系數(shù)2.868db,功耗14.028mw,本文所設計的混頻器可用于無線通信領域的電子系統(tǒng)中。
射頻CMOS電路與設計報告資料
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4.5
射頻cmos電路分析與設計 姓名顏朋飛 學號21306021078 班級13電子班 指導老師陳珍海 2 根據(jù)用途要求,確定 系統(tǒng)總體方案 cmos模擬集成電路設計與仿真 一、設計原理 ic設計與制造的主要流程 3 二、設計目的 本實驗是基于微電子技術(shù)應用背景和《集成電路原理與設計》課程設置及其特點而設置, 為ic設計性實驗。其目的在于: 根據(jù)實驗任務要求,綜合運用課程所學知識自主完成相應的模擬集成電路設計,掌握 基本的ic設計技巧。 學習并掌握國際流行的eda仿真軟件cadence的使用方法,并進行電路的模擬仿真。 三、設計內(nèi)容和功能 1、unix操作系統(tǒng)常用命令的使用,cadenceeda仿真環(huán)境的調(diào)用。 2、設計一個運算放大器電路,要求其增益大于40db,相位裕度大于60o,功耗小于10mw。 3
快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設計
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4.7
基于交叉耦合nmos單元,提出了一種低壓、快速穩(wěn)定的cmos電荷泵電路.一個二極管連接的nmos管與自舉電容相并聯(lián),對電路進行預充電,從而改善了電荷泵電路的穩(wěn)定建立特性.pmos串聯(lián)開關用于將信號傳輸?shù)较乱患?仿真結(jié)果表明,4級電荷泵的最大輸出電壓為7.41v,建立時間為0.85μs.
新的法蘭螺栓載荷設計方法
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4.5
新的法蘭螺栓載荷設計方法
一種陀螺電源信號發(fā)生器新的設計方法
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4.4
本文介紹了陀螺電源信號發(fā)生器的基本原理,闡述了國內(nèi)外有關陀螺信號發(fā)生器設計的基本方法,基于可編程邏輯器件(cpld)設計實現(xiàn)了陀螺信號發(fā)生裝置,并給出了仿真及實驗波形。
納米/CMOS電路單元的快速映射
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4.6
針對納米/cmos混合電路(cmol)單元映射問題,提出一種基于混合遺傳算法的映射算法.將任意布爾電路轉(zhuǎn)換為適于cmol映射的基于或非門的電路,讀入該電路進行染色體編碼,形成初始種群;每一代種群經(jīng)過二維交叉算子、變異算子進行解空間全局搜索,并引入模擬退火算法進行局部搜索使種群個體得以改進.對iscas和mcnc標準電路的實驗結(jié)果表明,采用該算法進行求解不僅使電路面積小、時延短,且具有求解速度快、能處理規(guī)模較大電路的特點.
高線性低變頻損耗短波超寬帶混頻器設計
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4.5
采用雙平衡場效應管管堆和巴倫設計了一款適用于短波超寬帶接收機的高線性低變頻損耗混頻器。巴倫由射頻鐵氧體傳輸線變壓器實現(xiàn),插入損耗小,工作頻帶寬。該混頻器射頻輸入頻率為0.3~70mhz,覆蓋7.8個倍頻程,本振輸入頻率為40.755~110.455mhz,中頻輸出為40.455mhz。測試結(jié)果表明,混頻器最佳本振功率在17dbm左右,變頻損耗5db左右,輸入三階截點高于34dbm,本振-中頻隔離度大于30db,本振-射頻隔離度大于50db。
測量電路中的電路設計和儀器選擇
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4.5
電路設計具有培養(yǎng)和檢查學生創(chuàng)造性思維能力、綜合分析能力以及實驗能力等多方面能力的特點,是近幾年高考實驗考查的主要考點,它包括測量電阻值rr、電阻事ρ、電功率p和電源電動勢e及內(nèi)阻r.
凌特混頻器簡化3G無線基站接收器設計
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4.5
凌特公司新的高線性度有源下變頻rf混頻器極大地降低了3g蜂窩基站的成本并簡化其設計。lt5527rf混頻器具有延至3.7ghz的工作頻率范圍。在1.9ghz時,lt5527具有23.5dbm的iip3(輸入3階截取)線性度、213db轉(zhuǎn)換增益和12.5db噪聲指標.從而滿足了3g蜂窩基站和其他高性能無線基礎設施接收器的動態(tài)范圍要求。
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職位:規(guī)劃環(huán)境影響評價
擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林